平成30年秋期 応用情報 午前 問10
相変化メモリの説明として，適切なものはどれか。
ア　一度だけ書込みが可能な不揮発性メモリ
イ　結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する不揮発性メモリ
ウ　フリップフロップ回路で構成された揮発性メモリ
エ　リフレッシュ動作が必要な揮発性メモリ
←平成30年秋期 応用情報 午前 問9
→平成30年秋期 応用情報 午前 問11
平成30年秋期 応用情報技術者試験 午前
#応用情報技術者試験 #午前 #平成30年