平成30年秋期 応用情報 午前 問10
相変化メモリ
の説明として,適切なものはどれか。
ア 一度だけ書込みが可能な
不揮発性メモリ
イ 結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する
不揮発性メモリ
ウ
フリップフロップ
回路で構成された
揮発性メモリ
エ リフレッシュ動作が必要な
揮発性メモリ
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平成30年秋期 応用情報技術者試験 午前
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